11选5杀号软件:华诺星科技 VNP5N07 晶体管

发布时间:2019/2/26 | 20 次阅读
制造商: STMicroelectronics 
产品种类: MOSFET  
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-220-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Id-连续漏极电流: 5 A 
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms 
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV 
Qg-栅极电荷: 18 nC 
Pd-功率耗散: 31 W 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
资格: AEC-Q101 
封装: Tube 
系列: VNP5N07  
晶体管类型: 1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET  
类型: Power MOSFET  
商标: STMicroelectronics  
正向跨导 - 最小值: 4 S  
CNHTS: 8541210000  
下降时间: 40 ns, 1100 ns  
HTS Code: 8542390001  
MXHTS: 85412101  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 60 ns, 400 ns
 
深圳市华诺星科技有限公司
联系人:李家蕊
QQ:2355820083
电话:18998911793/0755-82770192
地址:深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602







制造商: STMicroelectronics 
产品种类: MOSFET  
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-220-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Id-连续漏极电流: 5 A 
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms 
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV 
Qg-栅极电荷: 18 nC 
Pd-功率耗散: 31 W 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
资格: AEC-Q101 
封装: Tube 
系列: VNP5N07  
晶体管类型: 1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET  
类型: Power MOSFET  
商标: STMicroelectronics  
正向跨导 - 最小值: 4 S  
CNHTS: 8541210000  
下降时间: 40 ns, 1100 ns  
HTS Code: 8542390001  
MXHTS: 85412101  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 60 ns, 400 ns
 
深圳市华诺星科技有限公司
联系人:李家蕊
QQ:2355820083
电话:18998911793/0755-82770192
地址:深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602



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