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发布时间:2018/7/6 | 41 次阅读

幸运飞艇技巧 www.5n3z9.cn FET 类型

P 沟道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss

20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

4ATa

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On

1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

36 毫欧 @ 2.4A,4.5V

不同 Id 时的 Vgsth)(最大值)

950mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 Qg)(最大值)

15.5nC @ 4.5V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

1890pF @ 10V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

510mWTa

工作温度

-55°C ~ 150°CTJ

安装类型

表面贴装



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彭翔

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